6月1日至7日，国家“十二五”科技创新成就展在北京展览馆举行。由株洲中车时代电气股份有限公司自主研发的新型功率半导体器件—IGBT器件与SiC(碳化硅)器件集体亮相，吸引了众多参观者的目光。

　　时代电气此次参展的产品，主要是8英寸IGBT芯片、IGBT模块及SiC模块：展品陈列于主展馆—国家科技重大专项中的集成电路专项展区(主馆1号展位)。

　　IGBT全名为“绝缘栅双极型晶体管”，是一种新型功率半导体器件，能在几微秒内完成开关状态的转换，从而实现电流的快速转换，被广泛应用于轨道交通、航空航天、船舶驱动、智能电网、新能源等多个重要行业和领域。拥有完全自主知识产权IGBT产品的问世，填补国内空白，打破国际垄断，促使国外IGBT产品价格下降超过50%，为国家节约资金超百亿元。

　　SiC混合模块，与普通材料模块相比，具有反向恢复能耗极低、较大幅度降低热阻等特点。目前，时代电气研发的SiC混合模块已在昆明地铁实现示范应用，这也是SiC器件在国内轨道交通领域的首次应用。

　　据悉，此次展览以“创新驱动发展，科技引领未来”为主题，共分10个展区，全而系统地展示“十二五”期间我国取得的一批重大标志性科技成果。